Çin’den silikonsuz transistör hamlesi
Çinli bilim insanları, çip üretiminde devrim yaratabilecek yeni bir transistör teknolojisi geliştirdi. Pekin Üniversitesi’nden bir araştırma ekibi, dünyanın ilk silikonsuz, iki boyutlu GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor) transistörünü tasarladıklarını açıkladı. Profesör Peng Hailin ve Qiu Chenguang liderliğindeki ekip, çalışmalarını Nature dergisinde yayımladı.
Yeni malzeme: Bizmut oksiselenid (Bi₂O₂Se)
Geleneksel transistörlerde kapı (gate) yapısı yalnızca belirli yüzeylerle temas ederken, GAAFET teknolojisi kapıyı tüm yönlerden sararak daha iyi bir kontrol sağlıyor. Ancak Çinli araştırmacılar, geliştirdikleri yeni transistörde silikon yerine bizmut oksiselenid (Bi₂O₂Se) adı verilen iki boyutlu bir yarı iletken malzeme kullandı. Bu malzemenin özellikle 1nm altı üretim süreçlerinde büyük avantajlar sunduğu belirtiliyor.
Silikon, 10nm seviyesinin altına inildiğinde taşıyıcı hareketliliğinde düşüş yaşarken, 2D malzemeler daha esnek ve sağlam bir yapı sağlıyor. Araştırmacılar, bu yeni transistörün “şimdiye kadarki en hızlı ve en verimli transistör” olduğunu iddia ediyor.
Çin’in küresel çip yarışındaki avantajı
Bu gelişme, yalnızca bilimsel bir yenilik olarak değil, aynı zamanda küresel çip savaşlarında Çin’in konumunu güçlendirmeye yönelik bir adım olarak değerlendiriliyor. ABD ile Çin arasındaki ticaret savaşları, Pekin’in en gelişmiş çip üretim ekipmanlarına erişimini kısıtlamış durumda. Özellikle aşırı ultraviyole (EUV) litografi sistemlerine getirilen ambargolar, Çin’in geleneksel üretim yöntemleriyle rekabet etmesini zorlaştırıyor.
Çin, hem mevcut teknolojileri yakalamayı hem de doğrudan yeni nesil çip üretimine geçmeyi hedefliyor. Yeni silikonsuz GAAFET transistörünün Intel, TSMC ve Samsung’un mevcut çözümleriyle test edildiği ve daha iyi performans gösterdiği öne sürülüyor.
Kaynak: CUMHA – CUMHUR HABER AJANSI